微电子材料检测项目与标准解析

百检检测第三方检测机构，为企业提供相关CNAS、CMA、CAL等资质认证检测报告，始终以以企业为首任，以客户为中心，在严格的程序下开展检测工作，为客户提供产品检测及质量控制的解决方案，竭诚为广大客户提供科学科学的检验、研发分析服务。

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

检测项目：

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度,少子寿命,工业硅中杂质元素含量,晶向,晶片弯曲度,晶片翘曲度,电阻率与掺杂剂浓度换算,砷化镓单晶AB微缺陷,砷化镓单晶EL2浓度,砷化镓单晶位错密度,砷化镓和磷化铟材料霍尔系数,砷化镓材料杂质均匀性,砷化镓材料杂质浓度,砷化镓材料热稳定性,砷化镓材料霍尔迁移率、电阻率均匀性,砷化镓材料霍尔迁移率和电阻率的均匀性,硅单晶完整性,硅单晶电阻率,硅外延层、扩散层和离子注入层薄层的电阻,硅外延层厚度,硅外延层晶体完整性,硅多晶断面夹层,硅抛光片氧化诱生缺陷,硅抛光片表面质量,硅晶体中氧含量,硅晶体中碳含量,硅晶体中间隙氧含量径向变化,硅材料缺陷,硅片厚度和总厚度变化,硅片电阻率,硅片直径测量,硼含量,碳化硅单晶抛光片表面粗糙度,碳化硅单晶抛光片表面质量,碳化硅单晶片厚度和总厚度变化,碳化硅单晶片微管密度,碳化硅单晶片直径,磷化铟位错,锗单晶位错,霍尔系数,砷化镓材料霍尔迁移率,硅外延层电阻,光伏电池用硅材料表面金属杂质含量,多晶硅表面金属,导电类型,径向电阻率变化

检测标准：

1、SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法

2、GB/T4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

3、GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法

4、GB/T 1557-2006 硅晶体中氧含量

5、GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

6、GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法

7、GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

8、GB/T6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

9、GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

10、GB/T1555-2009 半导体单晶晶向测定方法

11、GB/T30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

12、GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

13、GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

14、GB/T30453-2013 硅材料原生缺陷图谱

15、GB/T30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

16、GB/T19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

17、GJB 1927-1994 砷化镓单晶材料测试方法 GJB 1927-1994

18、GB/T6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

19、GB/T1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

20、GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

检测报告作用：

1、项目招投标：出具权威的第三方CMA/CNAS资质报告；

2、上线电商平台入驻：质检报告各大电商平台认可；

3、用作销售报告：出具具有法律效应的检测报告，让消费者更放心；

4、论文及科研：提供专业的个性化检测需求；

5、司法服务：提供科学、公正、准确的检测数据；

6、工业问题诊断：验证工业生产环节问题排查和修正；