电子级多晶硅检测项目与标准解析

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测项目：

部分参数,基硼电阻率,基磷电阻率,导电类型,氧化夹层,n型少数载流子寿命,碳浓度,外观质量,受主含量,少数载流子寿命,施主含量,结构

检测标准：

1、GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

2、GB/T12963-2014 电子级多晶硅

3、GB/T 12963-2014 电子级多晶硅

4、GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法

5、GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法

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