半导体集成电路检测项目与标准解析

检测产品的报告如何办理?百检网第三方检测机构可为客户提供报告与认证质检办理服务，百检网拥有众多合作实验室，出具报告与认证真实有效，涵盖CNAS、CMA、CAL等。为您提供相关行业检测服务

检测流程

1、寄样

2、核对需求

3、针对性报价

4、双方确定，签订合同，开始实验

5、完成实验：检测周期(可加急)会根据样品及其检测项目/方法会有所变动，可咨询工程师

6、出具检测报告，后期服务。

检测项目：

老炼,X射线照相,内部目检和结构检查,内部目检,反偏老炼,外形尺寸,外部目检,密封 粗检漏,密封 细检漏,恒定加速度,温度循环,粒子碰撞噪声检测,耐溶剂性,芯片剪切强度,超声检查,键合强度,高温贮存,SEM检查,冲 击,变频振动,可焊性,外引线弯曲,外引线拉力,引线牢固性,扫频振动,振动,机械冲击,热冲击,盐雾,碰 撞,稳定性烘焙,粗检漏,细检漏,老炼试验,耐湿,芯片剪切力强度,非破坏键合拉力试验,颗粒碰撞试验,高温存贮,粒子碰撞噪声,老练,反偏老练,密封 细检,密封 粗检,ESDS,内部水汽含量,引线涂覆粘附强度,封盖扭矩,功能验证（三温）,静态特性测试,动态参数测试,尺寸,温度快速变化,强加速湿热,电测试,电耐久性,环境温度下电特性,最高和最低工作温度下电特性,引出端强度,稳态湿热,稳态加速度,标志耐久性,高温稳定,密封,老练前电测试,老练后电测试,芯片剪切或拉力,高压蒸煮,耐焊接热,强加速稳态湿热(HAST),预处理,易燃性,X射线检查,内部检查,外部检查,密封性试验（检漏）,扫描电子显微镜分析,粒子碰撞噪声检测试验,粒子碰撞噪声检测（PIND）,键合强度测试,元素分析,长度,厚度,封装结到外壳热阻,非功能测试 （补充电测试）,内部目检（单片）,动态电源电流I_a,热性能检测,稳态寿命,输入低电平电流I_IL,输入钳位电压V_IK,输入高电平电流I_IH,输出低电平电压V_OL,输出低电平电流I_OL

检测标准：

1、GB/T 12750-2006, IEC 60748-11:1990 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) 表4 C组 C3

2、JESD51-14 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法

3、GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则

4、GB/T 31563-2015 金属覆盖层厚度测量扫描电镜法

5、GJB 3233-98 半导体集成电路失效分析程序和方法 5.2.4

6、QZJ840615 《电子元器件“七专”技术条件》 /方法3.7.5

7、GB/T 26533-2011 俄歇电子能谱分析方法通则

8、SJ/T 10457-93 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则

9、GJB7400-2011 合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范 表1B、表2

10、GB/T 16594-2008 微米级长度的扫描电镜测量方法通则

11、　 GJB3233-1998 　 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.4

12、SJ/T 10458-93 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱术的样品处理标准导则

13、GJB 548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》 /方法 2018.1

14、GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法1015

15、JESD51-1 集成电路的热测试方法-电学测试方法（适用于单片半导体器件）

16、SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

17、GJB597B-2012 半导体集成电路总规范 附录B 表B.1

18、GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法

19、　 GJB3233-1998 　 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.8

检测报告作用：

1、项目招投标：出具权威的第三方CMA/CNAS资质报告；

2、上线电商平台入驻：质检报告各大电商平台认可；

3、用作销售报告：出具具有法律效应的检测报告，让消费者更放心；

4、论文及科研：提供专业的个性化检测需求；

5、司法服务：提供科学、公正、准确的检测数据；

6、工业问题诊断：验证工业生产环节问题排查和修正；