三极管检测项目与标准解析
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报告资质：CNAS、CMA、CAL等
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检测周期:3-15个工作日(可加急)
检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价
样品大小：根据样品大小选择寄样或上门
检测项目：
发射极-基极击穿电压,发射极-基极截止电流,基极-发射极饱和电压,栅极漏泄电流,正向电流传输比,正向跨导,漏一源击穿电压,漏极截止电流,漏极电流,集电极-发射极截止电流,集电极-发射极饱和电压,集电极-基极击穿电压,集电极-基极截止电流,集电极-射极击穿电压,静态漏-源通态电阻,发射极-基极击穿电压V(BR)EBO,发射极-基极截止电流（IEBO）,基极-发射极饱和电压(VBEsat）,外观和机械检查,放大倍数（hFEL）,老炼,集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO,集电极-发射极截止电流（ICEO）,集电极-发射极饱和电压（VCEsat）,集电极-基极击穿电压V(BR)CBO,集电极-基极截止电流（ICBO）,共发射极直流电流放大系数,集电极-发射极击穿电压,放大倍数,共发射极正向电流传输比,发射极—基极击穿电压,发射极—基极截止电流,基极—发射极饱和电压,集电极—发射极击穿电压,集电极—发射极截止电流,集电极—发射极饱和电压,集电极—基极击穿电压,集电极—基极截止电流,共发射极正向电流传输比h21E,发射极 –基极截止电流Iebo,发射极-基极击穿电压Vebo,基极-发射极饱和电压VbeSsat,集电极 –发射极截止电流ICEO,集电极 –基极截止电流Icbo,集电极-发射极维持电压Vceo,集电极-发射极饱和电压Vcesat,集电极-基极击穿电压Vcbo,密封,恒定加速度,温度循环,电性能参数,粒子碰撞噪声检测（PIND),高温贮存,基极-发射极饱和电压VBE(sat),小信号功率增益,集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO,集电极-发射极饱和电压VCE(sat),集电极-基极截止电流ICBO,电性能参数及特性曲线,发射极电流为零时集电极-基极击穿电压,温度循环（空气-空气）,集电极-发射极维持电压,集电极电流为零时集电极-基极击穿电压,高温寿命（非工作）,共发射极正向电流传输比h,集电极 –发射极截止电流I
检测标准：
1、GJB150.1A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第1部分：通用要求
2、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994
3、GB/T 4587-199 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
4、GJB128A－97 半导体分立器件试验方法 2071
5、GJB 128A－97 半导体分立器件试验方法 GJB128A－97
6、GJB 128A-199 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
7、GJB33A-97 半导体分立器件总规范 4.6
8、GJB128A－1997 《半导体分立器件试验方法》 方法2071
9、GJB150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第3部分：高温试验
10、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407
11、GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
12、GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第 IV 章 2
13、GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988
14、GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984
15、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3256
16、GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 Ⅳ.1.10
17、GB/T4587-94 分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第5、第6条
18、GB/T 4587-94 分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94
19、GB/T 4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 第Ⅳ章 第1节9.6
20、GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第IV 章 第1 节10.2
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