二极管检测项目与标准解析

百检检测是专业第三方检测机构,提供相关成分试验检测等.周期短,价格优,出具国家认证资质报告

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

检测项目：

二极管特性曲线,反向漏电流,正向电压,反向电流,反向电压,工作电压,反向击穿电压,正向直流电压,稳压管动态电阻,稳压管工作电压,击穿电压,反向工作峰值电压,正向压降,稳压二极管工作电压,稳压二极管微分电阻,正向电压（VF）,反向恢复时间,反向恢复能量,反向恢复软度系数,反向重复峰值电流,总电容电荷,恢复电荷,正向直流电流,微分电阻,电容,瞬态热阻抗,反向击穿电压（V_(BR)）,反向电流（I_R）,正向电压（V_F）,稳压管工作电压（V_Z）,二极管反压变化率,单脉冲雪崩能量,反向恢复电荷,稳态热阻,结电容,反向电流I_R,工作电压V_Z,微分电阻r_Z,正向电压V_F,击穿电压V_（BR）,功率老炼,高温反偏,交变湿热,外部目检,密封,尺寸,快速温度变化,恒定加速度,振动,整流二极管的标志,机械冲击,正向电压（在正向大电流时）,正向电压（在正向小电流时）,湿热循环,稳态湿热,高温贮存,常温功率老炼

检测标准：

1、GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 B5

2、GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 7.1.3

3、IEC 60747-3-2013 半导体器件分立器件 第3部分：分立器件：信号，开关和整流二极管 6.2.2

4、JESD 51-14：2010 具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法

5、GB/T 4023－2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 第7.1.4条

6、MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准 3476

7、GJB128A-97 半导体分立器件试验方法 方法4016

8、GJB128A－1997 《半导体分立器件试验方法》 方法4011

9、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法4023

10、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

11、GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分：信号（包括开关）和调整二极管（不包括温度补偿精密基准二极管） 空白详细规范 B5

12、MIL-STD-750-4:2017 半导体器件 二极管电参数测试方法 第4部分：测试方法4000至4999 方法 4021.2

13、GB/T 6571-1995 IEC 747-3-1985 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第 IV章第1节1

14、GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第IV章/第1节/2

15、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 6.1.8

16、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法4016

17、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

18、GB/T4023-2015 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 7.1.2

19、IEC 60747-2 Edition 3.0 :2016 半导体器件-第2部分：分立器件-整流二极管 6.1.3

20、GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分：第一篇 100A以下环境和管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管） 空白详细规范 表2 C7

检测流程步骤

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；