光电子器件检测项目与标准解析

2023-11-29 10:16:09 责任编辑：

检测报告如何办理?检测的项目和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测项目：

关断时间,开通时间,电流传输比,集电极-发射极暗电流,集电极-发射极饱和电压,集电极-基极暗电流,PIN光电二极管的噪声,S₁₁参数,不带尾纤的激光二极管发射源的高度、宽度和像散,低气压,倍增因子,光发射器件的半强度角和角偏差,光强分布和光束角,光照下的集电极电流,光电流,光谱线宽,光谱辐射带宽,光辐射带宽，频谱辐射带宽,光通维持率,光通量/光效,光通量,光通量结温特性曲线,其它电和光,其它电和光特性,功率,半强度角,参考热阻,反向电流和反向电压,反向电流,发光二极管发光强度,发光强度,发射-集电极击穿电压,发射极-基极击穿电压,发射源尺寸,可焊性,噪声电流,噪声等效功率,外形尺寸,外部目检,密封,小信号截止频率,尺寸,局部放电,峰值发射波长,平均寿命,平均颜色特性,开关时间,引出端强度,总电容,恒定加速度,截止频率,振动,暗电流,最大允许电流/电压,最高允许结温,机械冲击,标志,标志耐久性,正向电压,正向电流传输比的静态值,正向电流,浪涌隔离电压,温度变化,温度快速变化,湿热循环,电和光极限值的验证,电和光特性,电容（光敏二极管）,电耐久性,相对噪声强度,稳态湿热,等效的加速应力试验,红外发射二极管的辐射强度,纵模数,纵模数目,结到管壳的热阻,耐焊接热,角偏差,象散,跟踪误差,载流子与噪声比,辐射功率或正向电流,辐射功率,辐射图、半强度角,辐射强度,输入-输出电容,输入和输出之间的隔离电阻,过剩噪声因子,过剩噪声系数,连续或重复峰值隔离电压,阈值电流,隔离试验,集电极-发射极维持电压,集电极-基极击穿电压,集电极-基极截止电流,静电耐受性,频谱辐射带宽,颜色均匀性,颜色漂移,高温贮存,集电极-发射极截止电流,输入-输出间隔离电阻,光耦合器的开关时间

检测标准：

1、GB/T 15651.3-2003 半导体器件分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法 5.7

2、GB/T12565-1990，附录D表D2光耦合器半导体器件光电子器件分规范

3、GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件第IV章 2.4

4、GB/T15651-1995,IEC747-5:1992，第IV章3.7 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

5、GB/T12565-1990，B1 半导体器件光电子器件分规范

6、GB/T 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范表3 C组 C10

7、GB/T 15651.3-2003 半导体器件分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

8、GB/T15651-1995,IEC747-5:1992，第IV章3.2 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

9、GB/T15651-1995,IEC747-5:1992，第IV章3.1 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

10、GB/T12565-1990，附录D表D1发光二极管半导体器件光电子器件分规范

11、GB/T 15651-1995, IEC 747-5:1992 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件第IV章 3.1