光耦合器检测项目与标准解析

样品的检测报告如何办理?检测的范围和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

展现样式:电子版

检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

检测项目：

反向击穿电压（二极管）,反向电流（二极管）,正向电压（输入二极管）,正向电流（二极管）,输出截止电流,集电极-发射极反向击穿电压,集电极-发射极饱和电压,X射线检查,内部气体成份分析,内部目检,剪切强度,外部目检,密封,扫描电子显微镜(SEM)检查,粒子碰撞噪声检测(PIND),键合强度,扫描电子显微镜（SEM）检查,电流传输比,集电极-发射极击穿电压,正向电压,逻辑低电压水平,反向电流,发射极-基极击穿电压,发射极-集电极击穿电压,集电极-发射极截止电流,集电极-基极击穿电压,集电极-基极截止电流,粒子碰撞噪声检测（PIND）,外观检查,高温试验,回波损耗,高低温循环试验,低温试验,正向压降,反向截止电流,饱和电压,反向击穿电压

检测标准：

1、SJ2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法SJ 2215.2-1982

2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 5.1

3、GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 1201

4、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

5、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 表D1

6、SJ2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法SJ 2215.8-1982

7、GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析 工作项目1201第2.7条

8、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

9、YD/T 1117-2001 全光纤型分支器件技术条件 YD/T 1117-2001

10、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 附录D表D1

11、GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 方法 2076

12、SJ2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法 SJ 2215.9-1982

13、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第IV第1节1

14、SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015

15、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 GB 12565－1990

16、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 2018.1

17、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

18、SJ2215.7-1982 半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法SJ 2215.7-1982

19、SJ2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法 SJ 2215.4-1982

20、YD/T1117-2001 全光纤型分支器件技术条件

百检检测流程：

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；