双极晶体管检测项目与标准解析

检测报告如何办理?检测的项目和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测项目：

f_T特征频率,I_B=0时的集电极发射极击穿电压V_(BR)CEO,I_B=0时的集电极发射极截止电流I_CEO,I_C=0时的发射极基极击穿电压V_(BR)EBO,I_C=0时的发射极基极截止电流I_EBO,I_E=0时的集电极基极击穿电压V_(BR)CBO,I_E=0时的集电极基极截止电流I_CBO,S-参数,上升时间t_r,下降时间t_f,共发射极正向电流传输比的静态值h_FE,共基极输出电容,关闭时间t_off,基极发射极饱和电压V_BEsat,延迟时间t_d,开启时间t_on,贮存时间t_s,集电极发射极饱和电压V_CEsat,I,fT 特征频率,上升时间,下降时间,共发射极正向电流传输比的静态值h,关闭时间,基极发射极饱和电压,延迟时间,开启时间,贮存时间,集电极发射极饱和电压,关断期间的各时间间隔（td(off)、tf、toff、tz）和关断能量Eoff,反向传输电容,开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon,最大反偏安全工作区,最大短路安全工作区1,最大短路安全工作区2,最大集电极峰值电流,最大集电极电流,栅极内阻,栅极漏电流,栅极电荷,栅极－发射极阈值电压,输入电容,输出电容,间歇工作寿命（负载循环）,集电极-发射极击穿电压,集电极截止电流,集电极－发射极电压,集电极－发射极短路时的栅极－发射极电压,集电极－发射极饱和电压,高温栅极偏置,高温阻断（HTRB）,关断期间的各时间间隔和关断能量,开通期间的各时间间隔和开通能量,最大短路安全工作区,栅极-发射极阈值电压,集电极-发射极饱和电压,结－壳热阻和结－壳瞬态热阻抗,高温阻断

检测标准：

1、GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.2.1

2、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994

3、GB/T29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

4、(IGBT) GB/T29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分：绝缘栅双极晶体管 6.3.3

5、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.3.12

6、GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.3.12

7、GB/T29332-2012IEC60747-9Ed.2.0b:2007 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

8、IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) 7.2.5.3

9、 GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

10、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

11、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 Ⅳ 1.13.2

12、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:200 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘体双极晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:2007

13、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 GB/T 29332-2012

14、 GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

15、(IGBT) GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分：绝缘栅双极晶体管 6.2.6.2

16、IEC60747-9(Edition2.0):2007 半导体器件-分立器件-第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

17、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 Ⅳ1.10

18、 IEC 60747-9 Edition 3.0 :201 半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019

19、IEC 60747-9-2019 半导体器件 第9部分:分立器件 绝缘栅双极晶体管(igbt) 6.3.13

20、GB/T 4587-1995 fT 特征频率

检测流程步骤

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；