场效应晶体管检测项目与标准解析

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报告资质：CNAS、CMA、CAL等

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

检测项目：

栅-源阈值电压V_GS(TO),栅极截止电流和栅极泄露电流,漏极截止电流,栅-源阈值电压,栅极截止电流,漏极电流,高温反偏,栅极漏泄电流,正向跨导,漏一源击穿电压,静态漏-源通态电阻,反向传输电容C_rss,开关时间,栅-源阈值电压V_GS(th),栅极截止电流I_GSS,源-漏二极管正向压降V_SD,漏-源击穿电压V_(BR)DSS,漏极截止电流I_DSS,短路正向跨导gfs,管壳热阻（瞬态Z_（th）J-C和稳态R_（th）J-C）,输入电容C_iss,输出电容C_oss,静态漏-源通态电阻R_DS(on),漏-源（直流）电压,栅-源（直流）电压,栅-漏（直流）电压,漏极（直流）电流,漏极峰值电流,漏极反向（直流）电流,漏极反向峰值电流,反偏安全工作区,短路安全工作区,重复雪崩能量,非重复雪崩能量,击穿电压,漏极漏电流,栅极漏电流,漏-源通态电阻,漏-源通态压降,开通能量,关断能量,栅极电荷,输入电容,输出电容,反向传输电容,栅极内阻,反向恢复时间,反向恢复电荷,漏-源反向电压,结-壳瞬态热阻抗和热阻,高温阻断（HTRB）,高温栅极偏置,间歇工作寿命（负载循环）,栅-源截止电压,栅极截止电流或栅极漏泄电流,漏-源通态电压,栅-源短路时，漏极电流,漏-源击穿电压,漏-源短路时，栅极电流,栅-源阈值电压VGS(th),栅极截止电流和栅极泄漏电流IGSS,漏极截止电流IDSS,栅-源截止电压V_GSoff,栅-源阈值电压V_GS（th）,栅源极截止（漏泄）电流I_GSS,正向跨导g_fs,漏源击穿电压V_（BR）DSS,漏源极截止电流I_DSS,静态漏-源通态电阻r_DS,噪声电压噪声系数,时间参数,热阻参数,电压参数,电容参数,电导参数,电流参数,电阻参数,栅源漏电流,栅源阈值电压,漏源击穿电压,漏源通态电阻,跨导,零栅压漏极电流,静态漏源通态电压,静态漏源通态电阻,小信号短路正向跨导,栅极截止电流或栅极漏泄电流I_{GSS,栅极阈值电压VGS(th),漏-源击穿电压V(BR)DSS,漏极截止电流IDSS,漏极电流ID,通态漏-源电阻rds（on）,栅-源阈值电压VGS（th）,栅源击穿电压V（BR）GSS,漏源击穿电压V（BR）DSS,栅极泄漏电流,静态漏—源通态电阻,栅-源截止电压(VGSoff）,栅-源阈值电压(VGSth),漏-源通态电压(VDSon),静态漏-源通态电阻(rDSon),反向栅源漏电流,正向栅源漏电流,漏源通态电压,栅源短路时栅极漏电流,漏-源短路漏极电流,栅-源阈值电压VGS（TO）,栅极截止电流或栅极泄露电流,栅极阈值电压VGS（th）,栅源短路时栅极漏电流IGSS,正向跨导ggs（Vgs）,漏-源击穿电压BVDSS,漏-源短路漏极电流IDSS,漏极电流ID,漏极电流Id（on）,通态漏-源电阻rDS（on）,静态漏-源通态电阻RDS（on）,外部目验,密封,尺寸,快速温度变化,恒定加速度,栅源截止电压,栅源阈电压,湿热循环,漏泄或截止电流,漏源电压,稳态湿热,高温贮存,(结栅型, 绝缘栅耗尽型):G-S关断电压VGS(off)； (绝缘栅增强型):G-S阈值电压VGS(th),(结栅型, 绝缘栅耗尽型,绝缘栅增强型):崩溃电压V(BR)DSS,(绝缘栅增强型IDSS)或(结栅型,绝缘栅耗尽型):漏极关断电流IDSX,静态D-S导通阻抗RDS(on)或者D-S导通电压VDS(on),IDSX:漏极关断电流/IDS*:漏极漏电流}

检测标准：

1、GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 8 表1 A1

2、GB/T4586-1994 半导体器件第8部分 场效应晶体管 Ⅳ.6

3、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章2

4、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管  第Ⅳ章6

5、GB/T 4586-94(IEC 60747-8:1984) 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅲ章3.1.11

6、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

7、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节2

8、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范 4

9、IEC 60747-8 Ed. 3.0 b:2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.3.5

10、GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第IV章 2

11、IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 6.3.3

12、IEC 60747-8 (Edition 3.0 2010-12) 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 6.3.2

13、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 1039/2.1.1

14、IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.2.1.1

检测流程

1、寄样

2、核对需求

3、针对性报价

4、双方确定，签订合同，开始实验

5、完成实验：检测周期(可加急)会根据样品及其检测项目/方法会有所变动，可咨询工程师

6、出具检测报告，后期服务。