场效应管检测项目与标准解析

百检检测是专业第三方检测机构,提供相关成分试验检测等.周期短,价格优,出具国家认证资质报告

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

展现样式:电子版

检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测项目：

栅-源短路时的漏极电流,栅-源阈值电压,栅极截止电流,静态漏-源通态电阻,漏-源击穿电压,栅-源截止电流,漏-源截止电流,漏-源通态电阻,跨导,反向栅源漏电流（I_GSSR）,栅源阈值电压（V_GS(To)）,正向栅源漏电流（I_GSSF）,漏极截止电流（I_DSS）,漏源击穿电压(V_(BR)DSS),漏源通态电阻（r_DS(on)）,栅-源截止电压（A和B型）（V_GSoff）,栅-源阈值电压（C型）（V_GS（TO））,漏极截止电流,结栅型（A型）的栅极截止电流,绝缘栅型（B和C型）的栅极漏泄电流,通态漏-源电阻（r_ds(on)）,部分参数,栅-源阈值电压 V_GS(TO）,栅极截止电流或栅极漏泄电流（漏-源短路）I_GSS,正向跨导G_FS,漏极-源极击穿电压 BVDSS,漏极电流,静态漏-源通态电阻 R_DS（on）,小信号短路正向跨导gf_s,栅--源击穿电压BV_GS,漏--源断态电阻R_DSon,漏--源短路时的栅极截止电流I_GSS,零栅压时的漏极电流I_DSS,栅源漏电,漏源击穿电压BVDSS,漏源漏电,通态漏源电阻rds(on),阈值电压VT,栅源阈值电压,漏源通态电压,小信号短路正向跨导gfs,栅-源截止电压VGS(off),栅-源阈值电压VGS(TO),栅极截止（漏泄）电流IGSS,漏极电流IDSS,静态漏-源通态电阻RDS,正向栅源漏电流（I,反向栅源漏电流（I,漏源通态电阻（r,栅源阈值电压（V,栅极截止电流I_GSS,栅源 截止电压V_GSoff,漏-源通态电压V_DS(ON),漏-源通态电阻R_DS(ON),反向栅源漏电流,正向栅源漏电流,漏源击穿电压,漏源通态电阻,零栅压漏极电流,栅-源阈值电压V_GS(TO）,静态漏-源通态电阻 R_DS（on）,栅-源截止电压 V_GS(OFF）,栅-源阈值电压 V_GS(TO）,栅极截止电流或栅极漏泄电流（漏-源短路）I_GSS,正向跨导G_FS,漏极-源极击穿电压BVDSS,静态漏-源通态电阻 R_DS（on）,小信号短路正向跨导g_fs,栅--源击穿电压BV_GS,漏--源短路时的栅极截止电流I_GSS,零栅压时的漏极电流I_DSS,漏--源断态电阻RDSon,零栅压时的漏极电流IDSS,栅--源击穿电压BVGS,漏--源短路时的栅极截止电流IGSS,漏-源通态电流,漏-源通态电压,漏－源击穿电压,漏极电流 IDSS,栅-源截止电压,小信号短路正向跨导,栅极截止（漏泄）电流 IGSS,静态漏-源通态电阻 RDS,漏极截止电流（I,正向传输比,漏极电流（A、B 和C型）I_D,栅-源截止电压（A和B型）V_GSoff,静态漏-源通态电阻r_DSon,漏-源通态电压V_DSon和断态电阻r_DSoff,静态漏-源通态电阻 R_DS（on）,正向跨导G_FS,栅-源阈值电压 V_GS(TO）

检测标准：

1、GB/T4586-19944.15 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管

2、GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 4.1

3、GB/T 4586-1994/Ⅳ10 跨导

4、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章

5、GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 方法3407

6、GB/T 4586-1994/Ⅳ15 漏源通态电压

7、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

8、GB/T 4586-1994/Ⅳ2 反向栅源漏电流

9、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005

10、GB/T 4586-1994/Ⅳ3 漏极电流

11、GJB548B-2005/方法1022 栅源阈值电压

12、GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法1022

13、GJB128A-1997/方法3407 漏源击穿电压

14、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994

15、GB/T 4586-1994/Ⅳ6 栅源阈值电压

16、GB/T4586-19944.1 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管

17、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

18、GB/T4586-19944.3 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管

19、GB/T 4586-94 半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-94

20、GB/T4586-19944.4 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测流程步骤

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；