整流二极管检测项目与标准解析
百检检测第三方检测机构，为企业提供相关CNAS、CMA、CAL等资质认证检测报告，始终以以企业为首任，以客户为中心，在严格的程序下开展检测工作，为客户提供产品检测及质量控制的解决方案，竭诚为广大客户提供科学科学的检验、研发分析服务。
报告资质：CNAS、CMA、CAL等
检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价
样品大小：根据样品大小选择寄样或上门
展现样式:电子版
检测周期:3-15个工作日(可加急)
检测项目：
反向电流,正向电压,反向电流IR,正向电压VF,常温功率老炼,正向直流电压,温度冲击试验,高温反偏老炼,击穿电压,反向耗散功率,基准点温度,总耗散功率,恢复时间,恢复电荷(Qr),热阻,瞬态热阻抗,雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压,雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压（V(BR)）,反向直流电流,I2t值,反向不重复峰值电压,恢复电荷和反向恢复时间,正向恢复时间/正向恢复峰值电压,正向（不重复）浪涌电流,正向（伏安）特性,热循环负载试验,雪崩整流管和可控雪崩整流管的击穿电压,雪崩整流管和可控雪崩整流管的反向功率,反向恢复峰值电流,反向恢复时间,反向恢复能量,恢复电荷,反向直流电压(适用时),恢复电荷(Qr)(适用时),瞬态热阻抗(ZtHt),电流参数,电压参数,时间参数,反向瞬态能量,击穿电压VBR,反向电流IR,正向电压VF,击穿电压V（BR）,反向电流IR,正向电压VF,浪涌电流,老炼,高温寿命（非工作）,二极管击穿电压V（BR）,二极管反向电流IR,二极管正向电压VF,温度循环（空气-空气）,反向漏电流,反向电流IR,正向电压VF,反向电流IR,击穿电压VBR
检测标准：
1、GBT 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GBT4023-2015方法7.1.2
2、IEC60747-2(Edition 3.0):2016 半导体器件-第2 部分：分立器件-整流二极管 6.1.3
3、GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 7.1.4
4、GB/T 4023－2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 7.1.4
5、GB/T 4023-2015 《半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管》 GB/T 4023-2015
6、GJB 360B—2009 电子及电气元件试验方法 方法107
7、GB/T 4023－2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023－2015
8、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
9、GB/T 4023-2015(IEC 60747-2:2000) 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 7.1.4
10、GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
11、IEC60747-2Ed.3.0:2016 半导体器件-第2 部分：分立器件-整流二极管
12、GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第2部分整流二极管 第Ⅳ章第14条
13、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法 4066
14、GB/T 4023-2015(IEC 60747-2:2000 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 7.3.3
15、GB∕T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 7.1.4 反向电流
16、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管 1.4.1
17、GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 7.1.4.1
18、JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法 7.5
19、GJB 128A—1997 半导体分立器件试验方法 方法1038
20、JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法 JB/T 7624-2013
检测流程
1、寄样
2、核对需求
3、针对性报价
4、双方确定，签订合同，开始实验
5、完成实验：检测周期(可加急)会根据样品及其检测项目/方法会有所变动，可咨询工程师
6、出具检测报告，后期服务。
