绝缘栅双极型晶体管检测项目与标准解析

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测项目：

栅极-发射极漏电流(I_GES),栅极-发射极阈值电压(V_GE(th)),集电极-发射极饱和电压(V_CE(sat)),集电极截止电流(I_CES),栅极-发射极漏电流 I_GES,栅极-发射极阈值电压 V_GE(th),集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat),集电极截止电流 I_CES,集电极-发射极击穿电压,集电极-发射极漏流,集电极-发射极饱和压降,栅极-发射极阈值电压,栅极漏电流,结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗,集电极-发射极饱和电压,集电极截止电流,二极管反向恢复时间,人体静电放电模式,反向传输电容,开关时间&损耗,最大反偏安全工作区,栅极电荷,短路耐受时间,稳态热阻,输入电容,输出电容,集射间反向击穿电压,集电极反向漏电流,栅极-发射极漏电流 I_GES,栅极-发射极阈值电压 V_GE(th),集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat),集电极截止电流I_CES,栅极-发射极漏电流 I_GES,栅极-发射极阈值电压 V_GE(th),集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat),集电极截止电流 I_CES,通态电压,通态电阻,栅极内阻,二极管压降,二极管反向恢复电荷,栅极-发射极阈值电压 V_GE(th),栅极-发射极漏电流 I_GES,集电极截止电流 I_CES,集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat),绝缘栅双极型晶体管直流参数测试仪检定校准

检测标准：

1、MIL-STD- 750-4w/CHANGE 3-2019 半导体设备二极管电学实验方法 MIL-STD-750-4w/CHANGE 3-2019

2、》 GB/T 29332-201 《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》 GB/T29332-2012

3、GB/T29332-2012 《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》 6.3.5

4、MIL-STD- 750-3w/CHANGE 1-2019 半导体设备晶体管电学实验方法 MIL-STD-750-3w/CHANGE 1-2019

5、ANSI/ESDA/JEDECJS-001:2017 器件级静电放电灵敏度测试-人体模式

6、GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） 6.3.5

7、MIL-STD-750F:2012 半导体分立器件试验方法 3407

8、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3407

9、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

10、IEC 60747-9:2019 半导体器件-第9部分:分立器件 绝缘栅双极型晶体管 IEC 60747-9:2019

11、 GB/T 29332-201 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012

12、MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012

13、JESD 24-11-1996 功率场效应管栅极电阻测试方法 JESD24-11-1996

14、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 6.1.6

15、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016

16、IEC 60747-9:2019 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 6.3.9

17、JJG(电子) 310007 绝缘栅双极型晶体管直流参数测试系统检定规程

检测流程

1、寄样

2、核对需求

3、针对性报价

4、双方确定，签订合同，开始实验

5、完成实验：检测周期(可加急)会根据样品及其检测项目/方法会有所变动，可咨询工程师

6、出具检测报告，后期服务。