晶体三极管检测项目与标准解析

样品的检测报告如何办理?检测的范围和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

展现样式:电子版

检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测项目：

集电极-基极截止电流,发射极-基极截止电流,集电极-发射极截止电流,集电极-发射极饱和电压,基极-发射极饱和电压,集电极—基极击穿电压,发射极—基极击穿电压,共发射极正向电流传输比,集电极—发射级击穿电压,共发射极正向电流传输比(静态),发射极—基极截止电流,集电极—发射极截止电流,集电极—发射极饱和电压,集电极—基极截止电流,共发射极静态电流传输比H_FE,发射极--基极击穿电压BV_EBO,发射极--基极截止电流I_EBO,基极--发射极饱和电压V_BES,集电极--发射极击穿电压BV_CEO,集电极--发射极截止电流I_CEO,集电极--发射极饱和电压V_CES,集电极--基极击穿电压BV_CBO,集电极--基极截止电流I_CBO,三极管上升时间t_r,三极管下降时间t_f,三极管延迟时间t_d,三极管载流子贮存时间t_s,共发射极静态电流传输比H_FE,发射极--基极击穿电压BV_EBO,发射极--基极截止电流I_EBO,基极--发射极饱和电压V_BES,集电极--发射极击穿电压BV_CEO,集电极--发射极截止电流I_CEO,集电极--发射极饱和电压V_CES,集电极--基极击穿电压BV_CBO,集电极--基极截止电流I_CBO,三极管上升时间tr,集电极--发射极饱和电压VCES,集电极--基极截止电流ICBO,共发射极静态电流传输比HFE,发射极--基极截止电流IEBO,发射极--基极击穿电压BVEBO,集电极--发射极截止电流ICEO,三极管下降时间tf,集电极--基极击穿电压BVCBO,三极管载流子贮存时间ts,三极管延迟时间td,集电极--发射极击穿电压BVCEO,基极--发射极饱和电压VBES,恒定加速度,老炼试验,发射极-基极击穿电压,集电极-发射极击穿电压,集电极-基极击穿电压,集电极-发射极维持电压,半导体晶体三极管hFE参数测试仪检定校准

检测标准：

1、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第1节10 集电极--基极击穿电压BVCBO

2、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第1节2.2 发射极--基极截止电流IEBO

3、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994

4、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第1节2.1 集电极--基极截止电流ICBO

5、GJB128A-1997/ 半导体分立器件试验方法 2006

6、GB/T4587-1994IV.1.5 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

7、GB/T4587-1994IV.1.10 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

8、GB/T4587-1994IV.2.7、IV.2.8 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

9、GB/T4587-1994IV.1.4 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

10、GB/T4587-1994IV.1.3 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

11、GB/T4587-1994/ 半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管 9.6

12、GB/T4587-1994IV.1.2 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

13、GB/T4587-1994IV.1.12 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

14、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第1节5 基极--发射极饱和电压VBES

15、JJG(电子) 310004 晶体管hFE参数测试仪统检定规程

16、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第2节7 共发射极静态电流传输比HFE

17、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

18、GB/T 4587-94 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-94

19、GB/T 4587-94 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章/第1节/2.1

20、GB/T 4587-1994第Ⅳ篇第1节3 集电极--发射极截止电流ICEO

百检检测流程：

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；