绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测项目与标准解析
样品的检测报告如何办理?检测的范围和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。
报告资质:CNAS、CMA、CAL等
展现样式:电子版
检测周期:3-15个工作日(可加急)
检测费用:根据客户需求及实验复杂程度报价
样品大小:根据样品大小选择寄样或上门
检测项目:
发射极—集电极的击穿电压V(BR)ECO,栅极—发射极的漏电流IGES,栅极阈电压VGE(th),正向跨导gm,集电极—发射极的击穿电压V(BR)CEO,集电极—发射极的饱和电压VCEsat,零栅压时的集电极电流ICES,关断期间的各时间间隔和关断能量,反向传输电容,开通期间的各时间间隔和开通能量,最大集电极峰值电流,最大集电极电流,栅极漏电流IGES,栅极电荷,栅极-发射极阈值电压VGEth,输入电容,输出电容,集电极-发射极击穿电压V(BR)CES,集电极截止电流ICES,集电极-发射极电压,集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压,集电极-发射极饱和电压VCEsat,栅极-发射极阈值电压,栅极漏电流,稳态湿热偏置寿命,结-壳热阻,间歇工作寿命(负载循环),集电极-发射极饱和电压,集电极截止电流,高温栅极偏置,高温阻断,集电极-发射极饱和电压,栅极-发射极阈值电压,最大反偏安全工作区,最大短路安全工作区1,最大短路安全工作区2,开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon,关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff,结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗,集电极-发射极击穿电压,发射极—集电极的击穿电压,栅极—发射极的漏电流,栅极阈电压,集电极—发射极的击穿电压,集电极—发射极的饱和电压,零栅压时的集电极电流,正向跨导
检测标准:
1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5
2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3
3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5
4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4
5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2
6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9
9、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验
10、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
11、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2
12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3
14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4
15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2
16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3
17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12
20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11
检测报告作用:
1、项目招投标:出具权威的第三方CMA/CNAS资质报告;
2、上线电商平台入驻:质检报告各大电商平台认可;
3、用作销售报告:出具具有法律效应的检测报告,让消费者更放心;
4、论文及科研:提供专业的个性化检测需求;
5、司法服务:提供科学、公正、准确的检测数据;
6、工业问题诊断:验证工业生产环节问题排查和修正;