集成电路检测项目与标准解析
检测报告如何办理?检测的项目和标准有哪些?今天百检检测小编带您了解相关检测业务具体需要哪些检测,同时百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。
样品大小：根据样品大小选择寄样或上门
展现样式:电子版
检测周期:3-15个工作日(可加急)
检测项目：
低温存储试验,低温工作试验,低温运行试验,冲击试验,功率因数测量误差试验,功率测量误差试验,功耗试验,可焊性试验,周期中断功能试验,响应时间试验,增益试验,外观和尺寸检查,失效保护功能试验,工作电流试验,开路/短路,引出端强度试验,抗静电测试试验,抗静电能力试验,振动试验,接收器差分输入阈值电压试验,接收器输入阻抗试验,接收器输出电压试验,接收器输出短路电流试验,接收器输出高阻态漏电流试验,接收灵敏度试验,数字输入电压试验,时钟功能试验,机械性能试验,极性判别时间试验,极限温度使用试验,温度冲击试验,温度影响量试验,焊锡接合强度试验,电压信号采样通道测量误差试验,电压基准试验,电流信号采样通道测量误差试验,电源电流测试,电能计量误差试验,线性放大试验,耐湿,耐焊接热试验,自动极性判断和校正试验,谐波影响量试验,过压保护功能试验,过流保护功能试验,通信速率及误码率试验,闹钟中断试验,静态工作电流,频率影响量试验,频率测量误差试验,频率温度特性试验,频率电压特性试验,驱动器共模输出电压试验,驱动器差分输出电压试验,驱动器输出短路电流试验,高温存储试验,高温寿命试验,高温工作试验,高温运行试验,高温高湿存储试验,高温高湿试验,X射线检查,剪切强度,外部目检,密封,恒定加速度,温度循环,稳定性烘焙,稳态寿命,粒子碰撞噪声检测,粒子碰撞噪声检测试验,老炼试验,芯片剪切强度,芯片粘接的超声检测,键合强度,键合强度（破坏性键合拉力试验）,静电放电敏感度的分级,静电放电敏感度测试/人体模型,静电放电敏感度测试/场感应器件放电模型,静电放电敏感度测试/集成电路闩锁测试,扫描电子显微镜（SEM）检查,传导发射测量-1Ω/150Ω直接耦合法,传导抗扰度测量-大电流注入（BCI）法,传导抗扰度测量-直接注入法,汽车电子瞬态传导抗扰度（脉冲1，2a,3a,3b),电快速瞬变脉冲群抗扰度,辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法,辐射抗扰度测量-TEM小室和宽带TEM小室法,低温工作寿命测试,常温循环擦写后的数据保持能力测试,常温循环擦写后的数据保持能力测试和读操作干扰测试,常温循环擦写耐力测试,未经循环擦写的超高温数据保持能力测试,未经循环擦写的高温数据保持能力测试,高温工作寿命测试,高温循环擦写后的超高温数据保持能力测试,高温循环擦写后的高温工作寿命测试,高温循环擦写后的高温数据保持能力测试,高温循环擦写耐力测试,高温早期失效测试,(运算放大器的)短路输出电流,MOS电路传输时间,MOS电路延迟时间和转换时间,串扰衰减,串扰衰减（多重放大器）,交变湿热,低温,共模输入电压范围,冲击,分辨时间,功能验证,动态条件下的总电源电流,动态特性,单位增益频率,双极型电路传输时间,双极型电路延迟时间和转换时间,可焊性,响应时间,基准电压,备用电流（静态电流）,外部目检和标志检查,存储器写恢复时间,存储器地址存取时间,存储器片选存取时间,存储器读存取时间,导通时间和截止时间,小信号输入阻抗,尺寸,差分放大器的输出电压范围,建立时间和保持时间,开环电压放大倍数,引出端之间的绝缘电阻,引出端强度,弯曲试验,强加速湿热,截止态和导通态电流（对模拟信号开关电路）,截止态开关隔离,截止频率,扭转试验,拉力试验,振动，扫描频率,控制馈通电压,推力试验,数字集成电路功能检验,时序电路的转换频率,易燃性,最小写脉冲持续时间（脉宽）的测试,最高和最低工作温度下电特性,标志耐久性,标志耐溶剂性,正向锁定的输入/输出电压或电流,温度变化,温度快速变化,满输出电压幅度的上限频率,独立元件的测量(外贴元件),独立元件的测量(淀积膜元件的测量),环境温度下电特性,电压测试：等效输入和输出电容、等效输入和输出电阻,电流测试：大信号工作时的输入和输出电容,电测试
检测标准：
1、EN 61967-2:2005 集成电路-电磁发射测量，150kHz - 1GHz-第2部分:辐射发射测量- TEM小室和宽带TEM小室法 8
2、GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 项目1101、项目1102 2.3
3、GB/T12750-2006 半导体器件 集成电路第11部分:半导体集成电路分规范（不包括混合电路） 12.1
4、Q/GDW 11179.14-2015 电能表用元器件技术规范 第11部分：计量芯片 7.4.1
5、IEC 62132-4:2006 集成电路-电磁抗扰度测量,150 kHz -1 GHz - 第四部分：直接射频功率输入法 8
6、SJ 21473.3-2018 军用集成电路电磁抗扰度测量方法 第3部分：传导抗扰度测量大电流注入（BCI）法 6
7、GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 2016
8、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 静电放电敏感度测试，带电器件模型（CDM）-器件级
9、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 第3节 4.1.2
10、JESD22-A108F:2017 温度偏置寿命实验 4.2.3.2
11、IEC 62215-3:2013 集成电路-脉冲抗扰度测量-第三部分：异步瞬态注入法 10 & Annex D
12、GB/T 17940-2000,IEC 60748-3:1986 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇 第2节 17
13、JESD22-A117E:2018 电子可清除可编程ROM编程/清除耐久力和数据保持能力测试 4.2
14、AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、资料保持及工作寿命的测试 3.3
15、JESD47K :2018 IC集成电路压力测试考核 5.5 表 5-1
16、IEC 62132-2:2010 集成电路-电磁抗扰度测量，150kHz - 1GHz-第2部分:辐射抗扰度测量- TEM小室和宽带TEM小室法 8
17、Q/GDW 11179.11-2015 电能表用元器件技术规范 第11部分：串口通信协议RS-485芯片 7.5.1
18、JEDEC JESD78E-2016 集成电路闩锁测试
19、IEC 62132-3:2007 集成电路-电磁抗扰度测量,150 kHz -1 GHz - 第三部分：大电流注入（BCI）法 6
20、AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期寿命失效率 3.2
检测流程步骤
1、电话沟通、确认需求；
2、推荐方案、确认报价；
3、邮寄样品、安排检测；
4、进度跟踪、结果反馈；
5、出具报告、售后服务；
6、如需加急、优先处理；
