半导体发光二极管芯片检测项目与标准解析

2023-12-15 10:36:48 责任编辑：

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

报告资质：CNAS、CMA、CAL等

检测项目：

主波长和刺激纯度,人体模式的经放电敏感性,光通量和光通量效率,反向电压,峰值发射波长、光谱宽带、相对光谱功率分布和重心波长,机器模式的静放电敏感性,结温,色差,辐射通量和辐射效率,全部参数,色品坐标,反向电流,正向电压,开关时间,人体模式的静电放电敏感性测试,机器模式的静电放电敏感性测试,发光强度,峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长,芯片电气连接〔颜色特性测定方法〕,总电容,人体模式的静放电敏感性,主波长,光通量或光功率,电耐久性,静电敏感电压,部分参数,标志,材料、结构和工艺,光、电、色度及热特性,静电放电敏感度试验,环境适应性,外观质量,静电放电敏感度,光通量,外形尺寸

检测标准：

1、SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范

2、SJ/T11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 6.4

3、SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范 B组B4分组

4、SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 SJ/T 11399-2009

5、GB/T 4937-1995 全部参数

6、SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 8.3

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3、邮寄样品、安排检测；

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